更新時間：2023-08-18
倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器特點室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；大面積裝置；低成本；可根據客戶要求設計。
倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器
PVMI-n（n表示特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是多重異質結紅外光電探測器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標準）或者半球透鏡（可選）進行光浸入。這些裝置工作在8～12微米的范圍內，特別用于大范圍探測。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的變隙半導體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。
倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器參數：
特性（@ 20ºC） | 單位 | LD-PVMI-8 | LD-PVMI-10.6 |
特性波長λop | μm | 8 | 10.6 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥6 x 108 ≥3 x 108 |
≥2 x 108 ≥1 x 108 |
響應度–at λop | A*mm/W | ≥0.04 | ≥0.01 |
響應時間τ | ns | ≤4 | ≤1.5 |
電阻 | Ω | 50-300 | 20-150 |
光學面積（長 × 寬） | mm× mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; | |
工作溫度 | K | 300 | |
視場, F# | deg | 36, 1.62 | |
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